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Si4483EDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
V GS = 10 thru 4 V
40
30
20
10
25 °C, unless otherwise noted
3V
50
40
30
20
10
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.020
0.016
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.6
1.4
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.012
0.008
0.004
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1.2
1.0
0.8
0.6
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
0.05
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 ° C
0.04
I D = 14 A
0.03
T J = 25 °C
1
0.1
0.02
0.01
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72862
S-83038-Rev. D, 22-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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